Год выпуска: 2013 Автор: Вадим Куроптев Издательство: LAP Lambert Academic Publishing Страниц: 104 ISBN: 9783659405617
Описание
Книга посвящена разработке и исследованию прототипа элемента ReRAM (мемристора) на основе биполярного резис-тивного переключения в нестехиометрических анодных оксидных пленках ниобия. В работе приводится обзор литературы по изучаемой проблеме, представлены результаты поэтапной разработки и экспериментального исследования прототипа мемристора с точки зрения особенностей технологии его получения, присущих ему свойств и характеристик, анализа влияния внешних и внутренних факторов и др. Итогом работы является впервые разработанный и исследованный прототип элемента памяти ReRAM на основе биполярного резистивного переключения в нестехиометрических анодных оксидных плен-ках ниобия. Показаны высокая практическая значимость и пер-спективность данного вида переключения для разработки ReRAM, определены дальнейшие направления исследований.
Спасибо за вашу работу и за труд! Сдала на 5 работу после вашего сопровождения. Надеюсь магисторские работы Вы сопровождаете и с вами мы еще поработаем.