Год выпуска: 2010 Автор: Sung-Jin Choi and Yang-Kyu Choi Издательство: LAP Lambert Academic Publishing Страниц: 100 ISBN: 9783843377478
Описание
The structure of Schottky-barrier (SB) MOSFETs was investigated for both the perspective of practical applications and interest in novel Flash memory. We demonstrated how the source-side injection of hot electrons in the dopant-segregated SB (DSSB) Flash memory cell achieves high-speed, low-voltage programming with excellent injection efficiency, and no constraints on the optimization of gate and drain voltages. Moreover, the drain disturbance-free phenomenon in NOR Flash architecture was achieved. Excellent programming efficiency, especially, was achieved in a DSSB Flash device with a narrow fin width due to an enhanced lateral electric field without any sacrifice of parasitic resistance. Thus, the DSSB device can be a promising candidate in NOR Flash memory for attaining a lower programming voltage and power consumption.
Оля (Мы послали бесплатно подборку материала по теме), 08.10
Мариночка, спасибо Вам огромное за работу для моего мужа, который не может написать (а соответственно и защитить) диплом уже более полугода. Еще раз - моя Вам благодарность!!!))) Конечно, я поняла, что это только материал;))), я просто благодарю Вас за Вашу работу в принципе. Вчера весь вечер разбирались, нашли много ценного!!!:))) Как склепаем;))) диплом, защитится мой муженек- обязательно сообщу результат! Огромное спасибо за внимание и за помощь!!!))))))))