Год выпуска: 2013 Автор: Номери Мохамед Абасс Хадия Издательство: LAP Lambert Academic Publishing Страниц: 136 ISBN: 9783659427244
Описание
Цель работы: Разработка технологии получения нитевидных кристаллов широкозонных полупроводниковых оксидов SnO2 и In2O3 с заданными характеристиками на основе метода газового транспорта; установление закономерностей ростa нитевидных и других форм кристаллов; зависимость их морфологии и оптических свойств от условий их получения; установление структуры локализованных электронных состояний в запрещенной зоне SnO2. Основными задачами исследования, исходя из поставленной цели, являются: – оптимизация технологических параметров синтеза для получения нитевидных кристаллов с заданными характеристиками. – синтез нитевидных кристаллов SnO2, In2O3 и гетероструктур на их основе. – исследование особенностей роста нитевидные оксидных полупроводников SnO2, In2O3 и гетероструктур на их основе – исследование оптических свойств нитевидных кристаллов в сравнении с другими кристаллическими формами.