Написать рефераты, курсовые и дипломы самостоятельно.  Антиплагиат.
Студенточка.ru: на главную страницу. Написать самостоятельно рефераты, курсовые, дипломы  в кратчайшие сроки
Рефераты, курсовые, дипломные работы студентов: научиться писать  самостоятельно.
Контакты Образцы работ Бесплатные материалы
Консультации Специальности Банк рефератов
Карта сайта Статьи Подбор литературы
Научим писать рефераты, курсовые и дипломы.


подбор литературы периодические источники литература по предмету

GaN & Related Wide Bandgap Materials & Devices



Год выпуска: 2010
Автор: K. Gurnett
Издательство:
Страниц: 0
ISBN: 9781856173438
Описание
GaN & Related Wide Bandgap Materials & Devices


Похожие книги

  1. Mohamed Henini, M Razeghi. Optoelectronic Devices: III Nitrides. – М.: , 2005. – 592 с.
  2. Nanoelectronics and Photonics: From Atoms to Materials, Devices, and Architectures (Nanostructure Science and Technology). – М.: , 2008. – 410 с.
  3. Randall M. German. Handbook of Mathematical Relations in Particulate Materials Processing (Wiley Series on Processing of Engineering Materials). – М.: , 2008. – 418 с.
  4. Organic Photovoltaics: Materials, Dev Physics, and Manufacturing Technologies. – М.: , 2008. – 597 с.
  5. R. Szweda. Silicon Germanium Materials & Devices - A Market & TechnologyOverview to 2006. – М.: , 2010. – 418 с.
  6. R. Szweda. Gallium Nitride and Related Wide Bandgap Materials & Devices. A Market and Technology Overview 1998-2003. – М.: , 2010. – 0 с.
  7. K. Gurnett. GaN & Related Wide Bandgap Materials & Devices. – М.: , 2010. – 0 с.
  8. R. Szweda. Diode Laser Materials & Devices - A Worldwide Market & Technology Overview to 2005. – М.: , 2010. – 0 с.
  9. Osamu Terasaki. Mesoporous Crystals and Related Nano-Structured Materials,148. – М.: , 2010. – 306 с.
  10. A. Hangleiter. Nitrides and Related Wide Band Gap Materials,87. – М.: , 2010. – 432 с.
  11. Von Hippel. The Molecular Designing of Materials & Devices. – М.: , 1965. – 0 с.
  12. Arthur R Von Hippel. The Molecular Designing of Materials & Devices. – М.: , 2003. – 284 с.
  13. Hassanet Sodabanlu. 1.5 µm GaN/AlN MQWs Intersubband All-Optical Switches. – М.: LAP Lambert Academic Publishing, 2012. – 220 с.
  14. Sulaiman Rabbaa,Gennady Shkerdin and Johan Stiens. GaN-based Semiconductor Devices. – М.: LAP Lambert Academic Publishing, 2014. – 212 с.
  15. Ovidiu Toader. Photonic Bandgap Materials. – М.: LAP Lambert Academic Publishing, 2010. – 260 с.
  16. Andres Redondo-Cubero. Ion beam analysis of wide bandgap semiconductor heterostructures. – М.: LAP Lambert Academic Publishing, 2012. – 252 с.
  17. Dennis van Dorp and John Kelly. Etching of wide-bandgap chemically resistant semiconductors. – М.: LAP Lambert Academic Publishing, 2010. – 160 с.

Образцы работ

Тема и предметТип и объем работы
Становление избирательных технологий в современной России (по материалам предвыборных компаний В.В. Путина 2000 и 2004 гг.)
История Отечества
Диплом
100 стр.
Основы избирательных компаний
PR
Диплом
72 стр.
Public relations в политике как особый «срез» общественных отношений
PR
Курсовая работа
35 стр.
Разработка рекламной концепции и PR
Маркетинг
Диплом
80 стр.



Задайте свой вопрос по вашей теме

Гладышева Марина Михайловна

marina@studentochka.ru
+7 911 822-56-12
с 9 до 21 ч. по Москве.
Контакты
marina@studentochka.ru
+7 911 822-56-12
с 9 до 21 ч. по Москве.
Поделиться
Мы в социальных сетях
Реклама



Отзывы
галинка
спасибо вам за помощь, все защитила на 5