Год выпуска: 2011 Автор: А. Г. Васильев, Ю. В. Колковский, Ю. А. Концевой Издательство: Техносфера Страниц: 256 ISBN: 978-5-94836-290-8
Описание
Книга представляет собой учебное пособие по физическим основам и технологии транзисторов на широкозонных полупроводниках. Рассмотрены свойства двумерного электронного газа и физика гетеропереходов, в основном типа AlGaN/GaN. Дан обзор структур транзисторов на основе широкозонного полупроводника GaN. Рассмотрены структуры транзисторов на алмазе и карбиде кремния. Рассмотрены свойства подложек из сапфира, карбида кремния и других материалов, применяющихся для создания гетероструктур. Детально проанализированы методы изготовления гетеропереходов при использовании эпитаксии из металло-органических соединений и молекулярно-лучевой эпитаксии. Рассмотрены требования к омическим контактам и барьерам Шоттки, при использовании которых создаются гетероэпитаксиальные полевые транзисторы с высокой подвижностью электронов в канале (НЕМТ). Рассмотрена технология транзисторов на алмазе. Дан детальный обзор методов контроля технологических процессов, применяющихся при изготовлении транзисторов....
Шикарная презентация!!! Жаль у меня нет знакомых заканчивающих вузы в будущем, так хочется вас всем посоветовать, очень-очень довольна вашей работой! Еще раз спасибо, и всего вам хорошего!))