Год выпуска: 2013 Автор: Вюсаля Казимова Издательство: LAP Lambert Academic Publishing Страниц: 152 ISBN: 9783659388248
Описание
В работе представлены результаты исследований по получению сложнолегированных кристаллов Ge-Si, с заданным составом и концентрацией примесей меди, индия и сурьмы, а также по электротранспортным свойствам и спектру примесных состояний в этих материалах.В приближении полностью размешенного расплава, решена теоретическая задача по концентрационному распределению основных компонентов и примесей в кристаллах твёрдых растворов, выращенных из расплава консервативными и неконсервативными методами. Показано, что полученные математические соотношения удовлетворительно описывают экспериментальные данные по распределению компонентов и примесей индия и сурьмы в кристаллах германий-кремний. Разработаны методики выращивания и легирования примесями In и Sb кристаллов Ge-Si (0?х?0,30) с заданной концентрацией примесей методом направленного концентрационного переохлаждения и консервативным методом Бриджмена. Установлено, что коэффициенты сегрегации исследованных примесей изменяются линейно с...
Спасибо за столь доброе отношение к нам простым смертным :-), горе-студентам или, еще можно сказать- вечным студентам, которые не помнят, когда начали это свое "высшее", но уже до зеленой тоски опостылевшее, образование.