Год выпуска: 2014 Автор: К. И. Таперо, В. Н. Улимов, А. М. Членов Издательство: Бином. Лаборатория знаний Страниц: 304 ISBN: 978-5-9963-0633-6
Описание
В монографии анализируется влияние ионизирующих излучений (ИИ), преимущественно космического пространства, на характеристики изделий микро- и наноэлектроники. Рассмотрены: основы физики взаимодействий ИИ с полупроводниками; изменение электрофизических параметров приборных структур в результате образования наноразмерных дефектов под действием ИИ; дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO2 и их влияние на характеристики приборов и микросхем; особенности радиационных испытаний изделий, изготовленных по МОП-, КМОП-, а также по биполярной технологии, на стойкость к воздействию низкоинтенсивного ИИ; одиночные события в изделиях микро- и наноэлектроники при воздействии отдельных заряженных частиц. Для технических специалистов, работающих в области электроники, а также для студентов и аспирантов.
Здравствуйте!!! Сегодня я защитила диплом на 4! спасибо вам тоже! теперь мы больше не будем доставать вас своими глупыми вопросами!!! :) было приятно с вами работать! удачи вам!!!