Год выпуска: 2002 Автор: Д. К. Боуэн, Б. К. Таннер Издательство: Наука Страниц: 274 ISBN: 5-02-024963-7
Описание
В монографии английских ученых освещены основы теории и практики современных неразрушающих рентгеновских методов исследования и контроля реальной структуры материалов электронной техники. Объединены высокоразрешающая дифрактометрия и топография, которые особенно эффективно используются совместно, охвачены все аспекты их применения. Особое внимание уделено интерпретации дифракционных данных и изображений дефектов в кристаллах, а также современной технике исследований, включая использование сверхмощных источников синхротронного излучения. Для научных работников, инженеров, преподавателей и студентов, специализирующихся в области материаловедения, кристаллофизики и технологии материалов электронной техники.