Год выпуска: 2012 Автор: Татьяна Кожевникова, Кузубов Александр und Елисеева Наталья Издательство: LAP Lambert Academic Publishing Страниц: 68 ISBN: 9783659136108
Описание
Карбид кремния представляет собой перспективный материал, широко применяемый в полупроводниковой технике. Он обладает рядом уникальных свойств,что может позволить улучшить практически все характеристики приборов силовой и цифровой электроники, созданных на его основе.Развитию полупроводниковой SiC-электроники препятствует низкое качество выращиваемых монокристаллов карбида кремния. Получение качественных малодефектных кристаллов SiC определенного политипа сопряжено с рядом трудностей, и одна из них – эффективная система управления процессом роста кристалла. Основная идея данной работы заключалась в изучении структуры, свойств и возможности получения графеноподобного 2D SiC. Было изучено влияние числа слоев на возможность перехода из одной модификации карбида кремния в другую. Были изучены системы 2D SiC на пластинках Mg (0001) и Zr (0001), как на потенциальных материалах для подложек при выращивании монослоя, а также исследовано поведение дефектов в монослое SiС и их влияние на...
Я наконец получил окончательную оценку за реферат по кинокомедии: "отлично", как и ожидалось. В основе реферата - полученный от вас материал. Я его значительно сократил и несколько переработал, немного перестроил, добавил эпиграфы и прочие цитаты а также кое-какие собственные необязательные рассуждения. Большое спасибо за помощь (Фактически Ваш вклад составил около 80% работы).